T-RAM

T‐RAM (Thyristor RAM) este un tip de memorie volatilă DRAM inventat și dezvoltat în 2009 de T-RAM Semiconductor Inc. din Mountain View, California. Această tehnologie utilizează celule de memorie numite Thyristor Capacitively Coupled Thyristor (TCCT) care exploatează proprietatea electrică cunoscută sub numele de rezistență diferențială negativă (NDR). T-RAM se caracterizează printr-un modul inovator al celulelor de memorie SRAM, în care 4 din cei 6 tranzistori interconectați sunt înlocuiți de un tranzistor bipolar al unui singur tiristor. Datorită acestui fapt, memoria este foarte scalabilă și prezintă o densitate de stocare de câteva ori mai mare decât memoria SRAM convențională cu șase tranzistoare.[1][2]

AMD în colaborare cu GlobalFoundries a intenționat să utilizeze T-RAM pentru procesoarele de generație nouă, de 32 și 22 nanometri.[3]

Vezi și

  • Tiristor
  • A-RAM
  • TT-RAM
  • Z-RAM

Referințe și note

  1. ^ Tyristor-RAM Concept web.archive.org
  2. ^ T-RAM Description web.archive.org
  3. ^ AMD to use T-RAM for cache electronicsweekly, David Manners, 18th May 2009

Legături externe

  • Thyristor RAM (T-RAM): A high-speed high-density embedded memory technology for nano-scale CMOS
  • US Patent - Thyristor random access memory
v • d • m
Tipuri de memorii RAM
Istorice
Memorie cu linie de întârziere · Tubul Williams · Tubul Selectron · Memorie cu fir placat · Tambur magnetic · RDRAM
Statică
SRAM · NRAM · MRAM · DPRAM · PRAM · RRAM
Dinamică
Asincronă (FPM · EDO · BEDO) · Sincronă SDRAM (HSDRAM · ESDRAM · DDR SDRAM (DDR2 · DDR3 · DDR3L · DDR4 · DDR5) · eDRAM · A-RAM · T-RAM · TTRAM · Z-RAM · HMC
Dispozitive mobile
LPDDR · LPDDR2 · LPDDR3 · LPDDR4
Video
VRAM · WRAM · SGRAM · MDRAM · CDRAM · 3D RAM · GDDR SDRAM (GDDR2 · GDDR3 · GDDR4 · GDDR5 · GDDR5X · GDDR6) · HBM (HBM2, HBM3, HBM3+, HBM4)
Alte tehnologii
Rambus (XDR DRAM · RDRAM · DRDRAM · SLDRAM) · FB-DIMM · ECC
Conectori
SIMM · DIMM · SO-DIMM · UniDIMM